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傳三星擠下臺積電獲高通首批14納米FinFET芯片訂單

2014-7-14 16:53:44  來源:中電網  字體大。

  三星由于在DRAM方面的領先優(yōu)勢,在FinFET技術上也非常先進,加上搶下高通的訂單,三星半導體實力將進一步上升,反觀臺積電,最近由于英特爾、三星代工的崛起貌似處境不太妙,不過,技術的領先,臺積電沒有必要過分擔憂,畢竟,先進制程只有我家有,等我賺的盆滿缽滿留給你們點殘羹冷炙也無關緊要。

  消息稱,高通主要競爭對手聯(lián)發(fā)科一直與臺積電在28納米和20納米工藝上展開合作,將繼續(xù)使用臺積電的16納米FinFETPlus工藝開發(fā)芯片。

  業(yè)界消息稱,高通已經將首批FinFET(鰭式場效晶體管)芯片訂單下給了三星電子,而不是業(yè)界普遍認為的臺積電。三星將使用14納米制程工藝生產FinFET芯片,而臺積電使用的是16納米。消息稱,盡管16納米晶粒(Die)尺寸大于14納米,但臺積電自信可以通過將芯片生產良品率最大化的方式增加產能,進而幫助客戶降低生產成本。

  盡管高通的策略是與多個代工制造商在28納米或更為成熟的工藝上合作,包括臺積電、三星、Globalfoundries、聯(lián)電、中芯國際,但消息認為高通在FinFET產品開發(fā)上沒有嘗試與臺積電合作將承受一定風險。FPGA芯片廠商Altera此前曾選擇英特爾開發(fā)14納米FinFET產品,但由于英特爾良品率低被迫將訂單轉移給了臺積電。

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